有源電阻無源器件(ppt 49頁)

一、 MOS管交流小信號模型
二、 有源電阻
三、 無源器件
四、 無源器件－源/漏擴散電阻
五、 無源器件－注入電阻
六、 無源器件－多晶電阻
七、 無源器件－薄膜電阻
八、 無源器件－電容
九、 無源器件－電容
十、 短溝道效應
十一、 按比例縮小
十二、 按比例縮小的影響

一、 MOS管交流小信號模型
MOS管低頻小信號模型
小信號是指對偏置的影響非常小的信號。
由於在很多模擬電路中，MOS管被偏置在飽和區，所以主要推導出在飽和區的小信號模型。
在飽和區時MOS管的漏極電流是柵源電壓的函數，即為一個壓控電流源，電流值為gmVGS，且由於柵源之間的低頻阻抗很高，因此可得到一個理想的MOS管的小信號模型，如圖所示。
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