電子束光刻基本理論培訓課件(PPT 54頁)

利用某些高分子聚合物對電子束敏感形成曝光圖形
光學曝光分辨率受光波長的限製
電子波長
電子束直寫
——分辨率高、不需要Mask、曝光效率低
1.電子束曝光機
電子束曝光係統的重要指標
最小束直徑
加速電壓
電子束流
掃描速度
掃描場大小
工作台移動精度
套準精度
場拚接精度
MEBES4700S
幾種商用電子束曝光係統對比
化學放大抗蝕劑
抗蝕劑的重要參數
靈敏度
對比度
分辨率
抗刻蝕比
曝光寬容度
工藝寬容度
黏度、熱流動性、膨脹效應
高對比度
側壁更陡
工藝寬容度更大
分辨率更高（不一定總是）
對臨近效應更不敏感
抗蝕劑的分辨率
抗蝕劑的厚度
PMMA抗蝕劑－多丙稀酸脂聚合物
多層抗蝕劑工藝
3.電子束曝光方式
2.矢量掃描&光柵掃描
工作方式1－高斯束、矢量掃描、固定工作台
工作方式2－高斯束、光柵掃描、移動工作台
4.電子散射與鄰近效應
電子散射能量沉積分布
電子散射引起的鄰近效應
怎樣對抗鄰近效應
5.電子束光刻的流程
6.電子束曝光技術的應用
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