CMP化學機械拋光Slurry的蛻與進(DOC 6頁)

CMP化學機械拋光Slurry的蛻與進(DOC 6頁)簡介：
Slurry的發展與蛻變
“CMP技術非常複雜，牽涉眾多的設備、耗材、工藝等，可以說CMP本身代表了半導體產業的眾多挑戰。”安集微電子的CEO王淑敏博士說，“主要的挑戰是影響CMP工藝和製程的諸多變量，而且這些變量之間的關係錯綜複雜。其次是CMP的應用範圍廣，幾乎每一關鍵層都要求用到CMP進行平坦化。不同應用中的研磨過程各有差異，往往一個微小的機台參數或耗材的變化就會帶來完全不同的結果，slurry的選擇也因此成為CMP工藝的關鍵之一。”
CMP技術所采用的設備及消耗品包括：拋光機、slurry、拋光墊、後CMP清洗設備、拋光終點檢測及工藝控製設備、廢物處理和檢測設備等。其中slurry和拋光墊為消耗品。Praxair的研發總監黃丕成博士介紹說，一個完整的CMP工藝主要由拋光、後清洗和計量測量等部分組成。拋光機、slurry和拋光墊是CMP工藝的3大關鍵要素，其性能和相互匹配決定CMP能達到的表麵平整水平（圖2）。
Slurry是CMP的關鍵要素之一，其性能直接影響拋光後表麵的質量。Slurry一般由超細固體粒子研磨劑(如納米級SiO2、Al2O3粒子等)、表麵活性劑、穩定劑、氧化劑等組成。固體粒子提供研磨作用，化學氧化劑提供腐蝕溶解作用。影響去除速度的因素有：slurry的化學成分、濃度；磨粒的種類、大小、形狀及濃度；slurry的粘度、pH值、流速、流動途徑等。Slurry的精確混合和批次之間的一致性對獲得矽片與矽片、批與批的重複性是至關重要的，其質量是避免在拋光過程中產生表麵劃痕的一個重要因素。

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