某年北京科技大學考研814材料科學基礎真題答案(doc 7頁)

某年北京科技大學考研814材料科學基礎真題答案內容提要：
答案：
一，1，點陣畸變：在局部範圍，原子偏離其正常的點陣位置，造成點陣畸變。
2，柏氏矢量：描述位錯特征的一個重要矢量，它集中反映了位錯區域內畸變總量的大小和方向，也是位錯掃過後晶體相對滑動的量。
3，相圖：描述各相平衡存在條件或共存關係的圖解，也可稱為平衡時熱力學參量的幾何軌跡。
4，過冷度：相變過程中冷卻到相變點以下某個溫度後發生轉變，平衡相變溫度與該實際轉變溫度之差稱過冷度。
5，形變織構：多晶形變過程中出現的晶體學取向擇優的現象。
6，二次再結晶：再結晶結束後正常長大被抑製而發生的少數晶粒異常長大的現象。
7，滑移係：晶體中一個滑移麵及該麵上的一個滑移方向的組合稱一個滑移係。
8，孿生：晶體受力後，以產生孿晶的方式進行的切變過程。
二，立方晶係中（111）麵、（435）麵圖略。立方晶係空間點陣特征是點陣參數有如下關係：a=b=c, α=β=γ=90°。也可用具有哪類對稱元素表示，若有四個三次轉軸，則對應立方點陣。
三，分為三晶區：激冷區、柱狀晶區、中心等軸晶區。
影響鑄錠結晶組織的因素：1，液體過冷度，越小越好。2，凝固溫度範圍，越大越好，有利於枝晶的破碎。3，溫度梯度，越小越有利於等軸晶。4，合金熔點低，溫度梯度小。5，攪拌或加孕育劑。
四，frank-read源機製，圖略見課本。滑移麵上一個在A，B兩點被釘紮的位錯AB，在應力 作用下弓出（狀態2），弓出到3狀態時，下方相鄰部分反號相吸，並局部合並，完成一次增殖過程放出一位錯環（狀態4）。在應力 作用下，繼續重複前麵1-4過程。
五，一維下，J=-D ；J：擴散流量，單位時間通過單位麵積擴散的物質量， D：擴散係數， ：濃度梯度， ：其意義為物質擴散量與該物質的濃度梯度成正比，方向相反。
影響擴散的因素：1，溫度，滿足D=D0e 的關係，T升高，D增加。2，界麵表麵及位錯，是擴散的快速通道。3，第三組元，可對二元擴散有不同影響 ，如Mo、W降低C在r-Fe中的擴散係數，Co、Si加速C擴散，Mn影響不大。4，晶體結構，低對稱性的晶體結構中，存在擴散的各向異性，如六方結構晶體，平等與垂直於基麵的擴散係數不同。5，熔點，同一合金係中，同一溫度下熔點高的合金中擴散慢，熔點低的擴散快。
六，隨退火溫度的升高或時間延長，出現亞晶合並長大，再結晶武術及長大，無位錯的等軸再結晶晶粒取代長條狀高位錯密度的形變晶粒，然後是晶粒正常長大。儲存能逐漸被釋放，硬度及強度下降，伸長率上升，電阻降低，密度提高。再結晶時各種性能變化都比回複時強烈得多。
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