述職報告(ppt 36頁)

述職報告目錄：
一、outline
二、阻滯機製
三、離子射程（Ion Range）
四、通道效應（channeling effect）
五、減少通道效應的三種方法
六、Damage與Anneal
七、損傷與熱退火
八、Major implant steps in MOS device

述職報告內容提要：
當離子轟擊並進入substrate時，它會與晶格原子碰撞。原子會逐漸失去能量，而最後停在晶格裏麵。有兩種阻滯機製：一種是植入的離子與晶格原子的原子核產生碰撞，並經由這種碰撞引起明顯的散射而將能量轉移至晶格原子，這種稱作為原子核阻滯（Nuclear Stopping）；另一種阻滯機製是當入射的離子與晶格原子的電子產生碰撞，在電子碰撞的過程中，入射離子的軌跡幾乎是不變的，能量轉換的非常的小，而晶格的損壞也可以被忽略。這種碰撞稱作電子阻滯（Electronic Stopping）
帶能量的離子能夠穿入靶標，而漸漸的藉著與基片內的原子的碰撞而失去能量，並最終停留在基片內部。
一般而言，離子的能量越高，它就愈能深入基片。然而即使是相同的注入能量，離子也無法在基片內部剛好停止在相同的深度，因為，每個離子都是與不同的原子產生碰撞。投影離子會有一個分布區域的，如下圖所示：
離子在一個非晶態材料內的投影射程會遵循著高斯分布，也就是所謂的常態分布。單晶矽中的晶格原子會整齊的排列著，而且在特定的角度可以看到很多通道。假如一個離子以正確的角度進入通道，它隻要帶有很少的能量就可以進很長的距離，這就是通道效應（channeling effect）

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