半導體製造工藝技術(PPT 68頁)

澱積
概述
目標
MSI時代nMOS晶體管的各層膜
引言
ULSI矽片上的多層金屬化
芯片中的金屬層
固態薄膜
薄膜特性
膜對台階的覆蓋
高的深寬比間隙可以用深寬比來描述一個小間隙（如槽或孔），深寬比定義為間隙的深度和寬度的比值(見下圖)
高的深寬比間隙
薄膜生長的步驟
膜澱積技術
化學氣相澱積
化學氣相澱積的設備
CVD化學過程
CVD反應
CVD傳輸和反應步驟圖
CVD中的氣流
矽片表麵的氣流
CVD澱積係統
CVD反應器類型
各種類型CVD反應器及其主要特點
連續加工的APCVD反應爐
APCVDTEOS-O3改善後的台階覆蓋
PSG回流後平坦化的表麵
LPCVD
矽片表麵的邊界層
LPCVDReactionChamberforDepositionofOxides,Nitrides,orPolysilicon
用TEOSLPCVD澱積氧化矽
KeyReasonsfortheUseofDopedPolysiliconintheGateStructure
DopedPolysiliconasaGateelectrode
等離子體輔助CVD
在等離子體輔助CVD中膜的形成
GeneralSchematicofPECVDforDepositionofOxides,Nitrides,SiliconOxynitrideorTungsten
用LPCVD和PECVD氮化矽的性質
高密度等離子體澱積腔
澱積－刻蝕－澱積工藝
HDPCVD工藝的五個步驟
在渦輪泵出口放置矽片的HDPCVD
介質及其性能
介質間隙填充的三個過程
ULSI互連中可能的低K值ILD材料
互連延遲(RC)與特征尺寸的關係(?m)
芯片性能
總互連線電容
低-k值絕緣介質要求
DRAM疊層電容的示意圖
淺槽隔離
旋塗絕緣介質
用Spin-On-Glass填充間隙
HSQ低-k值絕緣介質工藝參數
外延
矽片上外延生長矽
氣相外延示意圖
矽氣相外延爐
CVD質量測量ILD中鑰匙孔的效果（金屬台階覆蓋上）
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