半導體製造技術--離子注入工藝(PPT 134頁)

至少列出三種最常使用的摻雜物
辨認出至少三種摻雜區域
描述離子注入的優點
描述離子注入機的主要部分
解釋通道效應
離子種類和離子能量的關係
解釋後注入退火
辨認安全上的危害
Chapter 8離子注入
目標
離子注入
晶圓製造流程圖
簡介: 摻雜半導體
簡介
摻雜半導體：擴散
沉積摻雜氧化層
氧化
驅入
剝除和清洗
摻雜半導體：離子注入
柵極的對準失誤
離子注入：磷
離子注入和擴散的比較
離子注入控製
離子注入的應用
其他的應用
阻滯機製
兩種阻滯機製
阻滯功率與離子速度
離子軌跡和投影射程
投影射程
矽中摻雜離子的投影射程
200keV摻雜離子所需的阻擋層厚度
注入製程：通道效應
通道效應
碰撞後的通道效應
陰影效應
問與答
損害製程
由單一離子造成的損傷
注入製程：損傷
注入製程：退火
熱退火
快速加熱退火(RTA)
快速加熱步驟和高溫爐退火
離子注入：硬件
離子注入機
注入製程
離子注入：氣體係統
離子注入：電機係統
離子注入：真空係統
離子注入：控製係統
離子注入：射束線係統
射束線係統
離子注入機：離子源
離子源
射頻離子源
微波離子源
離子注入：萃取
萃取係統示意圖
離子注入：質譜儀
離子布質機的質譜儀
BF3 電漿中的離子
離子注入：後段加速
離子注入：電漿泛注係統
後加速係統
離子射束電流控製
離子束軌跡彎曲
電荷中性化係統
帶電效應
電壓泛注係統
電子槍
晶圓處理器
旋轉輪式晶圓處理係統
旋轉盤式晶圓處理係統
單晶圓掃描係統
離子注入：射束阻擋器
離子注入：終端分析儀
離子阻擋器示意圖
離子注入製程
CMOS離子注入規範
注入製程：井區注入
臨界電壓(VT)調整的注入說明
離子注入：低摻雜漏極(LDD)注入
離子注入：源極/漏極注入
製程爭點
晶圓帶電
晶圓帶電監測
天線比例
粒子汙染物
粒子汙染物的效應
元素汙染
製程評估
四點探針
四點探針測量
熱波係統
光學量測係統(OMS)
離子注入：安全性
離子注入：化學安全
離子注入：電磁安全
離子注入：輻射安全
離子注入：負產品的腐蝕性
離子注入：機械安全
技術的趨勢
超淺型接麵(USJ)
軟誤差
a-粒子造成的電子—電洞對
SOI基片上的CMOS組件
形成矽覆蓋絕緣層結構
氧離子注入
高溫退火
電漿浸置型離子注入
深溝槽式電容器
電子回旋共振電漿浸置型離子注入係統
離子注入概要
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