CMOS集成電路工藝流程(PPT 54頁)

多晶矽柵CMOS工藝流程
可用器件
工藝擴展
第三章CMOS集成電路工藝流程
提綱
襯底材料
N阱擴散
反型槽
溝道終止注入
LOCOS工藝和虛擬柵氧化
閾值調整和柵氧化層生長
多晶矽澱積和光刻
源/漏注入
接觸、金屬化和保護層
多晶矽柵CMOS晶圓剖麵
典型CMOS工藝流程圖
NMOS晶體管
PMOS晶體管
襯底PNP管
多晶矽電阻
NSD/PSD電阻
MOS電容
淺槽隔離
輕摻雜漏區晶體管 (LDD)
擴展漏區高壓晶體管
本章結束
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