集成電路工藝原理(PPT 40頁)

第一章 前言
第二章 晶體生長
第三章 實驗室淨化及矽片清洗
第四章 光刻
第五章 熱氧化
第六章 熱擴散
第七章 離子注入
第八章 薄膜澱積
第九章 刻蝕
第十章 後端工藝與集成
第十一章 未來趨勢與挑戰
集成電路工藝原理
注入離子如何在體內靜止？
核阻止本領與電子阻止本領-LSS理論
核阻止本領
電子阻止本領
總阻止本領（Total stopping power）
注入離子的濃度分布
注入離子的真實分布
注入掩蔽層——掩蔽層應該多厚？
離子注入的溝道效應
減少溝道效應的措施
典型離子注入參數
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