集成電路製造技術(PPT 67頁)

光刻的重要性
光刻工藝流程
光源
光刻膠
分辨率
濕法刻蝕
幹法刻蝕
集成電路製造技術第八章 光刻與刻蝕工藝
主要內容
第八章 光刻與刻蝕工藝
掩模版
Clean Room淨化間
1)清洗矽片 Wafer Clean
5、對準 Alignment
9、堅膜 Hard Bake
光刻1－清洗
光刻3－塗膠 Spin Coating
光刻膠厚度與旋轉速率和粘性的關係
光刻4－前烘Soft Bake
5-6、對準與曝光 Alignment and Exposure
光刻7－曝光後烘焙（後烘，PEB）
光刻8－顯影(Development)
光刻9－堅膜（Hard Bake）
光刻10－圖形檢測（Pattern Inspection）
8.1.2 分辨率
表1 影響光刻工藝效果的一些參數
1）數值孔徑NA （Numerical Aperture）
8.1.3 光刻膠-Photoresist(PR)
負膠Negative hotoresists：
1)聚合物材料
3)溶劑
1）紫外-汞燈
接觸式曝光
分步重複投影光刻機--Stepper
8.1.6 掩模版（光刻版）Mask
基本概念
1）柵掩膜對準 Gate Mask Alignment
5）刻蝕多晶 Etch Polysilicon
8.2.1 濕法刻蝕
Si的濕法刻蝕
Si3N4的濕法腐蝕
RIE試驗
SiO2和Si的幹法刻蝕
Si3N4的幹法刻蝕
多晶矽與金屬矽化物的幹法刻蝕
鋁及鋁合金的幹法腐蝕
8.2.3 幹法刻蝕和濕法刻蝕的比較
8.2.4 刻蝕總結

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