工藝晶體外延生長技術課件(PPT 66頁)
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- 工藝技術
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- 技術課件
工藝晶體外延生長技術課件(PPT 66頁)內容簡介
第8章：晶體外延生長技術
第9章：薄膜物理澱積技術
第10章：薄膜化學汽相澱積
1、Si集成電路工藝中的外延技術
2、異質結外延中的幾個工藝難點
3、分子束（MBE）和金屬氧化物外延（MOCVD）的主要原理和工藝特點
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第9章：薄膜物理澱積技術
第10章：薄膜化學汽相澱積
1、Si集成電路工藝中的外延技術
2、異質結外延中的幾個工藝難點
3、分子束（MBE）和金屬氧化物外延（MOCVD）的主要原理和工藝特點
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