半導體製造工藝教材(PPT 40頁)

2.1　引言
2.2　器件的隔離
2.3　雙極型集成電路製造工藝
2.4　CMOS器件製造工藝
1)特征尺寸0.13μm或更小。
2)矽片直徑200mm或300mm。
3)使用淺槽隔離技術，有效地使矽片表麵的晶體管與襯底隔離開，消除了輻射-誘導軟錯誤。
4)增加了IC芯片的封裝密度。
5)具有較高的抗輻射能力。
6)高性能電子芯片SOI芯片將成為主流。
7)銅和低k的介質用來減小RC延遲。
8)具有更低的功耗和更高的IC速度。
9)采用了大馬士革工藝進行金屬化。
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