半導體製造工藝之矽的氧化概述(PPT 62頁)

緒論
SiO2的結構和性質
SiO2的掩蔽作用
矽的熱氧化生長動力學
決定氧化速度常數和影響氧化速率的各種因素
熱氧化過程中的雜質再分布
初始氧化階段以及薄氧化層的生長
Si- SiO2 界麵特性
Introduction
SiO2的作用
2.1.1 SiO2的結構
結晶形SiO2的結構
無定形SiO2的結構
SiO2結構在製備工藝中的應用
2.1.2 SiO2的主要性質（1）
SiO2的主要性質（2）
SiO2的主要性質（3）
2.2 SiO2的掩蔽作用
雜質在SiO2中的存在形式
2.2.2 雜質在SiO2中的擴散係數（1）
雜質在SiO2中的擴散係數（2）
2.2.3 掩蔽層厚度的確定（1）
掩蔽層厚度的確定（2）
圖2.5 各種溫度下能掩蔽磷和硼所需SiO2厚度與雜質在矽中達到擴散深度所需時間的關係
2.3 矽的熱氧化生長動力學
矽的熱氧化生長（1）
矽的熱氧化生長（2）
熱氧化法
幹氧氧化
水汽氧化
濕氧氧化
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