雙極集成電路器件工藝課件(PPT 124頁)

2.1雙極型集成電路的製造工藝
2.2集成雙極晶體管的寄生效應
第2章雙極集成電路器件工藝
第一塊平麵工藝集成電路專利
2.1雙極型集成電路的基本製造工藝
（1）典型PN結隔離工藝流程
（1）典型PN結隔離工藝流程（續1）
（1）典型PN結隔離工藝流程（續2）
（1）典型PN結隔離工藝流程（續3）
（1）典型PN結隔離工藝流程（續4）
（1）典型PN結隔離工藝流程（續5）
（1）典型PN結隔離工藝流程（續6）
（2）典型PN結隔離工藝光刻掩膜版彙總
（3）外延層電極的引出
（4）埋層的作用
集成NPN晶體管常用圖形及特點（1）單基極條形
集成NPN晶體管常用圖形及特點（2）雙基極條形
集成NPN晶體管常用圖形及特點（3）雙基極雙集電極形
集成NPN晶體管常用圖形及特點（4）雙射極雙集電極形
集成NPN晶體管常用圖形及特點（5）馬蹄形
集成NPN晶體管常用圖形及特點（6）梳狀
電流分配與控製
提高NPN管β值的途徑
雙磷擴散結構
雙硼擴散結構
超增益管的特點
AlGaAs/GaAs基異質結雙極性晶體管
第3章MOS集成電路的元件形成及其寄生效應
3.1PMOS工藝早期的鋁柵工藝
1970年前，標準的MOS工藝是鋁柵P溝道。
鋁柵PMOS工藝特點：
l鋁柵，柵長為20?m。
lN型襯底，p溝道。
l氧化層厚1500?。
l電源電壓為-12V。
l速度低，最小門延遲約為80?100ns。
l集成度低，隻能製作寄存器等中規模集成電路。
Al柵MOS工藝缺點
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