集成電路工藝技術教材(PPT 67頁)

引言
離子注入的優點
目錄
射程
LSS理論
LSS理論－核阻止本領和彈性碰撞
核阻止本領
LSS理論－電子阻止本領
兩種能量損失示意圖
常見矽中雜質的能量損失
磷砷銻投影射程
硼投影射程
SiO2中投影射程
光刻膠中投影射程
入射粒子在非晶靶中濃度分布
高斯分布
高斯分布特點和應用
雙高斯分布
Pearson- IV分布
硼離子注入分布
橫向分布
溝道效應－ 單晶靶中的射程分布
能量對溝道效應影響
劑量對溝道效應影響
取向對溝道效應影響
溫度對溝道效應影響
離子注入損傷－過程
離子注入損傷
離子注入損傷－臨界劑量
損傷的去除－退火
退火效應－硼
退火效應－硼，磷，砷比較
退火溫度－和劑量的關係
快速熱退火(RTA)
退火技術比較
離子注入機
離子注入機結構
離子源
注入材料形態選擇
質量分析係統
加速聚焦係統
掃描係統
電掃描偏轉
電掃描
離子注入的應用
離子注入的應用(SOI)
SOI MOSFET
離子注入工藝模擬(SUPREM)
離子注入二維工藝模擬(ATHENA)
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