CMOS工藝流程技術介紹(PPT 48頁)

工藝集成
集成電路中的隔離
MOS集成電路中的隔離
增加場區二氧化矽的厚度
雙極集成電路隔離
CMOS製作步驟
1.雙阱工藝
2.淺槽隔離工藝
3.多晶矽柵結構
4.輕摻雜漏注入工藝
源、漏注入工藝
7.接觸孔的形成
8.局部互連工藝
9.通孔1和鎢塞1的形成
10.第一層金屬（金屬1）互連的形成
通孔2的形成
鎢塞2的形成
12.第二層金屬互連的形成
13. 製作第三層金屬直到製作壓點和合金

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