光刻工藝原理培訓課件(ppt 90頁)

主要內容
光刻工藝原理
光刻的基本概念
矽片的製造流程
光刻技術的基本要求
光刻工藝
負性光刻
正性光刻
掩膜版與光刻膠之間的關係
光刻的八個步驟
1：氣相成底膜處理
成底膜技術
HMDS滴浸潤液和旋轉
2：旋轉塗膠
光刻膠塗膠方法
旋轉塗布光刻膠的4個步驟
旋轉塗膠
塗膠設備
光刻膠
光刻膠的種類及對比
光刻膠的成分
負性光刻膠交聯
正性I線光刻膠
正性I線光刻膠良好的對比特性
光刻膠的物理特性
影響曝光分辨率的主要因素
傳統負膠的缺點
3：軟烘
在真空熱板上軟烘
4：對準和曝光
光刻機的三個基本目標
版圖轉移到光刻膠上
曝光光源
典型的高壓汞燈的發射光譜
汞燈強度峰
抗反射塗層
光反射引起的光刻膠反射切口
入射光和反射光在光刻膠中幹涉
光刻膠中的駐波效應
通過底部抗反射塗層的光控製
底部抗發射塗層的光相移相消
頂部抗反射塗層
接觸/接近式光刻機係統
掃描投影光刻機
5:曝光後烘焙
6:顯影
正膠顯影
顯影方法
光刻膠顯影參數
顯影後檢查
顯影檢查的返工流程
堅膜 烘焙
高溫下變軟的光刻膠流動
幹法刻蝕與濕法腐蝕相比的優點
刻蝕作用
多晶矽的刻蝕
在多晶矽柵刻蝕中不期望的微槽
單晶矽的刻蝕
金屬的幹法刻蝕
濕法腐蝕
刻蝕檢查
刻蝕參數
刻蝕速率
刻蝕剖麵
刻蝕偏差
刻蝕中的橫向鑽蝕和傾斜
選擇比
聚合物側壁鈍化來提高各向異性

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