TFT LCD液晶顯示器的驅動原理(doc 31頁)

Cs(storage capacitor)儲存電容的架構 一般最常見的儲存電容架構有兩種, 分別是Cs on gate與Cs on common這兩種. 這兩種顧名思義就可以知道, 它的主要差別就在於儲存電容是利用gate走線或是common走線來完成的. 在上一篇文章中, 我曾提到, 儲存電容主要是為了讓充好電的電壓,能保持到下一次更新畫麵的時候之用. 所以我們就必須像在CMOS的製程之中, 利用不同層的走線, 來形成平行板電容. 而在TFT LCD的製程之中, 則是利用顯示電極與gate走線或是common走線,所形成的平行板電容,來製作出儲存電容Cs 圖1就是這兩種儲存電容架構, 從圖中我們可以很明顯的知道, Cs on gate由於不必像Cs on common一樣, 需要增加一條額外的common走線, 所以它的開口率(Aperture ratio)會比較大. 而開口率的大小, 是影響麵板的亮度與設計的重要因素. 所以現今麵板的設計大多使用Cs on gate的方式. 但是由於Cs on gate的方式, 它的儲存電容是由下一條的gate走線與顯示電極之間形成的.(請見圖2的Cs on gate與Cs on common的等效電路) 而gate走線, 顧名思義就是接到每一個TFT的gate端的走線, 主要就是作為gate driver送出信號, 來打開TFT, 好讓TFT對顯示電極作充放電的動作. 所以當下一條gate走線, 送出電壓要打開下一個TFT時 ,便會影響到儲存電容上儲存電壓的大小. 不過由於下一條gate走線打開到關閉的時間很短,(以1024*768分辨率, 60Hz更新頻率的麵板來說. 一條gate走線打開的時間約為20us, 而顯示畫麵更新的時間約為16ms, 所以相對而言, 影響有限.) 所以當下一條gate走線關閉, 回複到原先的電壓, 則Cs儲存電容的電壓, 也會隨之恢複到正常. 這也是為什麼, 大多數的儲存電容設計都是采用Cs on gate的方式的原因.
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