光纖通信光源和光發射機介紹(PPT 108頁)

主要內容
3.1半導體發光的物理基礎
3.1.1原子的能級和晶體的能帶（掌握）
3.1.2PN結（掌握）
3.1.3非輻射複合（了解）
3.1.4半導體材料（了解）
3.1.1原子的能級和晶體的能帶
半導體材料中的電子分布—能帶結構p47
半導體材料的能帶結構圖
三種基本躍遷過程
激光激射條件
激光器是指能夠產生激光的自激振蕩器。受激輻射是產生激光的關鍵。
粒子數反轉條件：是使物質產生光放大的必要條件
光學諧振腔：建立光反饋，實現光的頻率和方向選擇
Laser發射波長p50
3.1.2PN結
PN結的形成過程
泵浦（正向偏壓）下
同質結
異質結P53
雙異質結的優點P53
3.1.3非輻射複合—直接帶隙和間接帶隙半導體材料
內量子效率P70（公式2-21）
載流子壽命
輻射複合
3.1.4半導體材料：晶格常數匹配
小結：半導體光源材料的選取
半導體材料的禁帶寬度的計算公式
半導體材料的製備
3.2半導體激光器
半導體激光器的工作條件
工作物質
泵浦源
諧振腔
FP諧振腔p54
P56
多縱模LDp56p66
Bragg反射器p56-57
布喇格發射條件（2-172-18）
優點：
易於實現單縱模
易於實現窄的光譜線寬
波長鎖定功能
半導體激光器的典型結構p59
條形LDp58
激光器的分類（P58）
FP腔激光器
圖2-15：基本結構
圖2.16：典型結構p59
圖2.17：示意圖p59
圖2.18：商用結構
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