半導體的基礎知識技術教案(DOC 29頁)

1.判別正負極性
1.PN結外加正向電壓
1.放大係數
1.電路組成
1.結構特點：發射區中摻雜濃度高。基區必須很薄。基電結的麵積應很大
1.輸入特性曲線Inputcharacteristcurves
1三極管的非線性：在輸入特性的彎曲部分和輸出特性間距的不均勻部分。
1半導體的導電性介於導體與絕緣體之間。
1單向橋式整流電路
1發射區向基區注入載流子
1工作點Q是放大器的工作狀態在特性曲線上的位置，Q即IB,IC,UBE的值。
1影響反向飽和電流ICBO：因為半導體中的熱平衡電子—空穴對數目隨溫度變化。
1放大電路功能：利用BJT的電流控製作用把微弱的電信號增強到所要求的數值。
1最大整流電流IFM它是二極管允許通過的最大正向平均電流。
1構成：
1理想模型：當二極管正向電壓和正向電阻與外接電路的等
效電阻相比均可忽略時，這樣的二極管可稱為理想二極管。
1穩壓二極管的主要參數
1半導體中有兩種載流子
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