電子封裝材料及其應用培訓教材(PPT 25頁)
電子封裝材料及其應用培訓教材(PPT 25頁)內容簡介
電子封裝材料的分類
封裝基板主要包括三種類型:
1)硬質BT樹脂基板:硬質BT樹脂基板主要由BT樹脂
(雙馬來酰亞胺三嗪樹脂)和玻纖布經反應性模壓工藝而製成。
2)韌性PI(聚酰亞胺)薄膜基板:在線路微細化、輕量化、薄型化、
高散熱性需求的驅動下,主要用於便攜式電子產品的高密度、多I/O數的IC封裝。
3)共燒陶瓷多層基板:燒陶瓷基板包括高溫共燒陶瓷基板(HTCC)
和低溫共燒基板(LTCC)。和HTCC相比,LTCC基板的介電常數較低,適於高速電路;
燒結溫度低,可使用導電率高的導體材料;布線密度高,且可以在LTCC結構中埋置元器件。
布線
導體布線由金屬化過程完成。基板金屬化是為了把芯片安裝在基板上和使芯片與其他元器件相連接。
為此,要求布線金屬具有低的電阻率和好的可焊性,而且與基板接合牢固。金屬化的方法有薄膜法和後膜法。
Al是半導體集成電路中最常用的薄膜導體材料,其缺點是抗電子遷移能力差。
Cu導體是近年來多層布線中廣泛應用的材料,Au,Ag,NiCrAu,Ti—Au,Ti—Pt—Au等是主要的薄膜導體。
為降低成本,近年來采用Cr—Cu—Au,Cr—Cu—Cr,Cu—Fe—Cu,Ti—Cu—Ni—Au等做導體薄膜。
層間介質
介質材料在電子封裝中起著重要的作用,如保護電路、隔離絕緣和防止信號失真等。
它分為有機和無機2種,前者主要為聚合物,後者為Si02,Si3N4和玻璃。多層布線的導體間必須絕緣,
因此,要求介質有高的絕緣電阻,低的介電常數,膜層致密。
密封材料
電子器件和集成電路的密封材料主要是陶瓷和塑料。最早用於封裝的材料是陶瓷和金屬
,隨著電路密度和功能的不斷提高,對封裝技術提出了更多更高的要求,
從過去的金屬和陶瓷封裝為主轉向塑料封裝。至今,環氧樹脂係密封材料占整個電路基板密封材料的90%左右.
樹脂密封材料的組成為環氧樹脂(基料樹脂及固化劑)、填料(二氧化矽)、固化促進劑、
偶聯劑(用於提高與填料間的潤濕性和粘結性)、阻燃劑、饒性賦予劑、著色劑、
離子捕捉劑(腐蝕性離子的固化)和脫模劑等。目前,國外80%~90%半導體器件密封材料
(日本幾乎全部)為環氧樹脂封裝材料,具有廣闊的發展前景。
三、電子封裝工藝
電子封裝結構的三個層次
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封裝基板主要包括三種類型:
1)硬質BT樹脂基板:硬質BT樹脂基板主要由BT樹脂
(雙馬來酰亞胺三嗪樹脂)和玻纖布經反應性模壓工藝而製成。
2)韌性PI(聚酰亞胺)薄膜基板:在線路微細化、輕量化、薄型化、
高散熱性需求的驅動下,主要用於便攜式電子產品的高密度、多I/O數的IC封裝。
3)共燒陶瓷多層基板:燒陶瓷基板包括高溫共燒陶瓷基板(HTCC)
和低溫共燒基板(LTCC)。和HTCC相比,LTCC基板的介電常數較低,適於高速電路;
燒結溫度低,可使用導電率高的導體材料;布線密度高,且可以在LTCC結構中埋置元器件。
布線
導體布線由金屬化過程完成。基板金屬化是為了把芯片安裝在基板上和使芯片與其他元器件相連接。
為此,要求布線金屬具有低的電阻率和好的可焊性,而且與基板接合牢固。金屬化的方法有薄膜法和後膜法。
Al是半導體集成電路中最常用的薄膜導體材料,其缺點是抗電子遷移能力差。
Cu導體是近年來多層布線中廣泛應用的材料,Au,Ag,NiCrAu,Ti—Au,Ti—Pt—Au等是主要的薄膜導體。
為降低成本,近年來采用Cr—Cu—Au,Cr—Cu—Cr,Cu—Fe—Cu,Ti—Cu—Ni—Au等做導體薄膜。
層間介質
介質材料在電子封裝中起著重要的作用,如保護電路、隔離絕緣和防止信號失真等。
它分為有機和無機2種,前者主要為聚合物,後者為Si02,Si3N4和玻璃。多層布線的導體間必須絕緣,
因此,要求介質有高的絕緣電阻,低的介電常數,膜層致密。
密封材料
電子器件和集成電路的密封材料主要是陶瓷和塑料。最早用於封裝的材料是陶瓷和金屬
,隨著電路密度和功能的不斷提高,對封裝技術提出了更多更高的要求,
從過去的金屬和陶瓷封裝為主轉向塑料封裝。至今,環氧樹脂係密封材料占整個電路基板密封材料的90%左右.
樹脂密封材料的組成為環氧樹脂(基料樹脂及固化劑)、填料(二氧化矽)、固化促進劑、
偶聯劑(用於提高與填料間的潤濕性和粘結性)、阻燃劑、饒性賦予劑、著色劑、
離子捕捉劑(腐蝕性離子的固化)和脫模劑等。目前,國外80%~90%半導體器件密封材料
(日本幾乎全部)為環氧樹脂封裝材料,具有廣闊的發展前景。
三、電子封裝工藝
電子封裝結構的三個層次
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