電路保護方法概述(doc 12頁)

電路保護方法概述內容摘要：
　　由於電子行業向作為優勢設計工具的小尺寸 CMOS 工藝的演進，業已提高了信號處理與計算性能、能量效率、經濟性以及緊湊性，但在麵臨不可避免的常見電氣瞬變危害時同時又使IC 固有的牢靠性下降。
　　概括說來，瞬變源可分為閃電、開關、EMP（電磁脈衝）和 ESD（靜電放電）四種。在這四種瞬變源中，EMP 很少見，主要由核事件產生。但是，與 EMP一樣，幾乎所有電瞬變源都是由存儲的能量突然釋放產生的。閃電和 ESD 是由靜電荷突然釋放產生的，而開關瞬變通常是由於存在顯式電抗或寄生電抗時電流或電壓發生突變，導致靜電場或電磁場劇變而產生的。
　　某一類中的瞬變源往往表現出相同的時域特性。例如，開關瞬變具有周期性的特點，其幅度與重複頻率會因某一裝置的細節不同而各異。閃電與 ESD 脈衝則是非周期性的，其發生地點超出了大的地理趨勢，是不可預測的（圖 1）。（TechFlick：圖 1 的動畫版，顯示全球每平方公裏每年的閃電數。圖形與視頻均由 NASA 國際空間科學與技術中心閃電組提供。）
　　閃電與 ESD 脈衝也是難以測量的，其幅度變化範圍很大。各工業部門都開發並推廣了各種瞬變源的標準與試驗方法。這些標準盡管在一些重要方麵（例如電荷存儲與源阻抗）可能各有不同，但在瞬變對在其它情況下不會令人懷疑的電路的危害是如何出現的原理上卻是一致的（表 1）。這種表格式的數據反映的情況是不全麵的：瞬變波形不是方波，但上升時間呈快速指數型，下降時間則是緩慢的指數型，在峰值波幅處幾乎沒有停留時間。

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