現代半導體器件知識講義(ppt 47頁)

現代半導體器件知識講義目錄:
一、晶體生長與外延
二、CZ法生長單晶矽－起始材料
三、Cz直拉法
四、摻雜物質的分布
五、有效分凝係數
六、懸浮區熔法......

現代半導體器件知識講義內容簡介:
對分立器件而言，最重要的半導體是矽和砷化镓。本小節主要討論這兩種半導體單晶最常用的技術。一種是單晶生長，獲得高質量的襯底材料；另外一種時“外延生長”，即在單晶襯底上生長另一層單晶半導體（同質或異質材料）。當晶體生長時，摻雜劑會持續不斷地被排斥而留在融體中(K0<1)。如果排斥率比參雜的擴散或攪動而產生的傳送率高時，在界麵的地方會有濃度梯度產生.

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