新材料的研究及其開發(doc 6頁)

新材料的研究及其開發內容提要：
納米材料科學技術：
但不同檔次的矽芯片在21世紀仍大量存在，並將有所發展。
在絕緣襯底上的矽（SOI，SiOnInsulator):功能低、低漏電、集成度高、高速度、工藝簡單等。SOI器件用於便攜式通信係統，既耐高溫又抗輻照。
集成係統（IS，IntegratedSystem)：在單個芯片上完成整係統的功能，集處理器、存儲器直到器件設計於一個芯片(SystemonaChip)。
集成電路的總發展趨勢：高集成度、微型化、高速度、低功耗、高靈敏度、低噪聲、高可靠、長壽命、多功能。為了達到上述目標，有賴於外延技術（VPE，LPE，MOCVD及MBE）的發展，同時對矽單晶的要求也愈來愈高。表1為集成電路的發展對材料質量的要求。
光纖發展階段及所需材料
光纖材料:
石英玻璃：SiO2、SiO2-GeO2、SiO2-B2O3-F
多組分玻璃：SiO2-GaO-Na2O、SiO2-B2O3¨CNa2O
紅外玻璃：重金屬氧化物、鹵化物
摻稀土元素玻璃：Er、Nd、?
多模隻適於小容量近距離（40Km,100Mbps)
單模可傳輸調製後的信號≥40Gbps到200Km，
而不需放大。

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