試談光電信息功能材料研究進展(ppt 43頁)

試談光電信息功能材料研究進展目錄：
一、光電信息功能材料－現代信息社會的支柱
二、光電信息功能材料研究進展
2.1、矽微電子技術發展趨勢
2.2、矽基異質結構材料與光電器件
2.3、激光器材料與器件
2.4、寬帶隙半導體材料和器件
2.5、納米(低維)半導體材料與量子器件
2.6、其他光電信息功能材料與器件
三、發展趨勢

試談光電信息功能材料研究進展內容提要：
矽微電子技術發展趨勢：
矽（Si）材料作為當前微電子技術的基礎，預計到本世紀中葉都不會改變。
從提高矽集成電路（ICs）性能價格比來看，增大直拉矽單晶的直徑，仍是今後矽單晶發展的大趨勢。矽ICs工藝由8英寸向12英寸的過渡將在近年內完成。預計2016年前後，18英寸的矽片將投入生產。
從進一步縮小器件的特征尺寸，提高矽ICs的速度和集成度看，研製適合於矽深亞微米乃至納米工藝所需的超高純、大直徑和無缺陷矽外延片會成為矽材料發展的主流。
II-VI族寬帶隙半導體材料與器件：
(Zn,Mg,Cd)X(S,Se,Te)1-X寬帶隙材料研究的進展不大。
ZnO基寬禁帶半導體材料以其很高的激子激活能（60mev）及其在藍紫光電子器件方麵的應用前景受到關注。ZnO納米線在光泵下產生受激發射的實驗結果，引起了廣泛的興趣，已成為目前研究熱點之一。
氧化物半導體材料的研究，有可能開辟研製短波長發光材料的新途徑。

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