節能新材料之半導體照明介紹(doc 8頁)

節能新材料之半導體照明介紹內容提要：
氮化物襯底材料的研究與開發增大字體複位寬帶隙的GaN基半導體在短波長發光二極管、激光器和紫外探測器，以及高溫微電子器件方麵顯示出廣闊的應用前景；對環保，其還是很適合於環保的材料體係。半導體照明產業發展分類所示的若幹主要階段，其每個階段均能形成富有特色的產業鏈。世界各國現在又投入了大量的人力、財力和物力，以期望取得GaN基高功率器件的突破，並且居於此領域的製高點。“氮化物襯底材料與半導體照明的應用前景”文稿介紹了氮化物襯底材料與半導體照明的應用前景的部分內容。
GaN、AlN、InN及其合金等材，是作為新材料的GaN係材料。對襯底材料進行評價要就襯底材料綜合考慮其因素，尋找到更加合適的襯底是發展GaN基技術的重要目標。評價襯底材料要綜合考慮襯底與外延膜的晶格匹配、襯底與外延膜的熱膨脹係數匹配、襯底與外延膜的化學穩定性匹配、材料製備的難易程度及成本的高低的因素。InN的外延襯底材料就現在來講有廣泛應用的。自支撐同質外延襯底的研製對發展自主知識產權的氮化物半導體激光器、大功率高亮度半導體照明用LED，以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物襯底材料的評價因素及研究與開發”文稿介紹了氮化物襯底材料的評價因素及研究與開發的部分內容。

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