NF4BIOSMemory操作指導書(doc 16頁)
NF4BIOSMemory操作指導書(doc 16頁)內容簡介
NF4BIOSMemory操作指導書內容提要:
如何進一步理解 ”時間參數” 怎樣影響記憶性能, 你應該了解有關現代隨機存取儲存器(RAM)的一切。 "RAM Timming"下麵的圖表將給你它怎樣工作的概述。 AMD A64 CPU 包含了記憶控製單元,控製單元地址可以正確的存取 內存 芯片。 而此控製單元是透過列和排的尋址找到每個交叉點即代表一個記憶數據。
最佳化時間參數將加速進入內存的過程。 存儲器控製器首先確定它打算處理的儲存數據的Row地址,定Row地址所花費的時間稱為tRCD; 接下來定Column地址所發費的時間稱為tCL。 在等待tRAS 和tRP之後即完成一個地址的數據儲存,然後重複以上過程就可以完成資料的存取。
這是來自Corsair的一個RAM 的在線多媒體解釋︰
以下是一個非常簡短的解釋
在你開始之前,這裏是一張我製作用以幫助你超頻(或隻是在nF4主機板上穩定?#092;作的設定)的空白窗體,
這窗體應該可以適用在nF4的所有版本,這個點子是從masterwoot那得來的,我修改並製作一個更新的版本,謝謝masterwood!
如果要用IE瀏覽器順利印出此窗體,請將頁麵設定為左右兩邊的留白區為0.5吋
在你打印前----請設定為畫像模式,計算機可能需要幾秒鍾的時間做存取…
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