電力電子技術基礎參考資料(doc 10頁)

思考題與習題
1. 獨立思考以下各小題，分別從“SCR、GTO、GTR、功率MOSEFT和IGBT”中選擇合適的詞填寫在各小題的括號裏。
（1）（ ）是半控器件，（ ）和（ ）是全控器件。
（2）（ ）和（ ）所需驅動電路的靜態功耗接近於0。
（3）如果希望導通電流為15A時，器件主回路的導通壓降小於220mV，則應選用（ ）作為主開關器件。
（4）除功率MOSFET外，（ ）的輸入特性與功率MOSFET的輸入特性類似。
（5）（ ）在導通電流為500A條件下，為了將它關斷，它的控製極所需反向關斷電流之峰值的絕對值需超過100A。
（6）（ ）的輸入特性與雙極型三極管的輸入特性類似。
（7）如果希望製做一個升壓型DC-DC變換電路，將450V直流電源升高為650V直流電源，最大輸出電流為200A，斬波頻率為15KHz，則應選用（ ）作為主開關器件。
（8）（ ）如果已經導通，在主回路電流大於10A條件下，即使控製信號變為負值，它也不能關斷。

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