BGA技術與質量控製(doc 12頁)
BGA技術與質量控製(doc 12頁)內容簡介
BGA技術與質量控製內容摘要:
BGA 技術簡介
BGA技術的研究始於60年代,最早被美國IBM公司采用,但一直到90年代初,BGA 才真正進入實用化的階段。
在80年代,人們對電子電路小型化和I/O引線數提出了更高的要求。為了適應這一要求,QFP的引腳間距目前已從1.27mm發展到了0.3mm。由於引腳間距不斷縮小,I/O數不斷增加,封裝體積也不斷加大,給電路組裝生產帶來了許多困難,導致成品率下降和組裝成本的提高。另方麵由於受器件引腳框架加工精度等製造技術的限製,0.3mm已是QFP引腳間距的極限,這都限製了組裝密度的提高。於是一種先進的芯片封裝BGA(Ball Grid Array)應運而生,BGA是球柵陣列的英文縮寫,它的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下麵,引線間距大,引線長度短,這樣 BGA消除了精細間距器件中由於引線而引起的共麵度和翹曲的問題。BGA技術的優點是可增加I/O數和間距,消除QFP技術的高I/0數帶來的生產成本和可靠性問題。
JEDEC(電子器件工程聯合會)(JC-11)的工業部門製定了BGA封裝的物理標準,BGA與QFP相比的最大優點是I/O引線間距大,已注冊的引線間距有1.0、1.27和1.5mm,而且目前正在推薦由1.27mm和1.5mm間距的BGA取代0.4mm-0.5mm的精細間距器件。
BGA器件的結構可按焊點形狀分為兩類:球形焊點和校狀焊點。球形焊點包括陶瓷球柵陣列 CBGA(Ceramic Ball Grid Array)、載帶自動鍵合球柵陣列 TBGA(Tape Automatec Ball Grid Array)塑料球柵陣列PBGA(Plastic Ball Array)。 CBGA、TBGA和PBGA是按封裝方式的不同而劃分的。柱形焊點稱為CCGA(Ceramic Column Grid Array)。
BGA技術的出現是IC器件從四邊引線封裝到陣列焊點封裝的一大進步,它實現了器件更小、引線更多,以及優良的電性能,另外還有一些超過常規組裝技術的性能優勢。這些性能優勢包括高密度的I/O接口、良好的熱耗散性能,以及能夠使小型元器件具有較高的時鍾頻率。
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BGA 技術簡介
BGA技術的研究始於60年代,最早被美國IBM公司采用,但一直到90年代初,BGA 才真正進入實用化的階段。
在80年代,人們對電子電路小型化和I/O引線數提出了更高的要求。為了適應這一要求,QFP的引腳間距目前已從1.27mm發展到了0.3mm。由於引腳間距不斷縮小,I/O數不斷增加,封裝體積也不斷加大,給電路組裝生產帶來了許多困難,導致成品率下降和組裝成本的提高。另方麵由於受器件引腳框架加工精度等製造技術的限製,0.3mm已是QFP引腳間距的極限,這都限製了組裝密度的提高。於是一種先進的芯片封裝BGA(Ball Grid Array)應運而生,BGA是球柵陣列的英文縮寫,它的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下麵,引線間距大,引線長度短,這樣 BGA消除了精細間距器件中由於引線而引起的共麵度和翹曲的問題。BGA技術的優點是可增加I/O數和間距,消除QFP技術的高I/0數帶來的生產成本和可靠性問題。
JEDEC(電子器件工程聯合會)(JC-11)的工業部門製定了BGA封裝的物理標準,BGA與QFP相比的最大優點是I/O引線間距大,已注冊的引線間距有1.0、1.27和1.5mm,而且目前正在推薦由1.27mm和1.5mm間距的BGA取代0.4mm-0.5mm的精細間距器件。
BGA器件的結構可按焊點形狀分為兩類:球形焊點和校狀焊點。球形焊點包括陶瓷球柵陣列 CBGA(Ceramic Ball Grid Array)、載帶自動鍵合球柵陣列 TBGA(Tape Automatec Ball Grid Array)塑料球柵陣列PBGA(Plastic Ball Array)。 CBGA、TBGA和PBGA是按封裝方式的不同而劃分的。柱形焊點稱為CCGA(Ceramic Column Grid Array)。
BGA技術的出現是IC器件從四邊引線封裝到陣列焊點封裝的一大進步,它實現了器件更小、引線更多,以及優良的電性能,另外還有一些超過常規組裝技術的性能優勢。這些性能優勢包括高密度的I/O接口、良好的熱耗散性能,以及能夠使小型元器件具有較高的時鍾頻率。
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