級多晶矽提純技術現狀與質量分析(ppt 31頁)

級多晶矽提純技術現狀與質量分析目錄：
一、 冶金法簡介
二、 冶金法的進展
三、 太陽能級多晶矽的雜質及其對材料性能的影響
四、 冶金法多晶矽的質量穩定性分析

級多晶矽提純技術現狀與質量分析內容提要：
太陽能所需要的多晶矽純度：
Poly silicon with purity higher than 7N could not be made into solar cell directly
7N以上的多晶矽無法用來直接作太陽能電池
B or P must be mixed as dopant 須摻入硼或磷
The dopant of B must be about 0.25ppm
對太陽能來說，硼的摻雜濃度大約在0.25ppmw
i.e., for solar cell, the purity must down to 6N even using a 11N poly-silicon
也就是說，在生產太陽能電池時，即便采用11N的高純矽，也必須摻雜降到6N左右。
新工藝的需求：
Because impurities must added to high pure poly-silicon from Siemens method, which means energy double waste采用西門子法得出高純度的矽後，又要摻雜到6N的純度，意味著能源的雙重浪費
That’s why the technology of purifying silicon directly to 6N is being explored all the time 直接生產6N太陽能多晶矽的工藝開始被人們所探索。
Metallurgical Routine to purify the poly silicon is the most promising routine
冶金法是被人探索最多，也是目前最被人看好的工藝。

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