集成電路製造中的質量控製和成品率培訓課件(PPT 84頁)
集成電路製造中的質量控製和成品率培訓課件(PPT 84頁)內容簡介
前言
(一)成品率和成品率模型
(二)製造環境-沾汙控製
(三)工藝優化和試驗設計(DOE)
(四)統計過程控製(SPC)
(五)工藝設備狀態的控製 (Off-line QC)
(六)產品工藝的控製 (On-line QC)
(七)PCM在質量控製中的作用
(八)低合格率圓片原因分析
集成電路技術講座 第十一講
內容
前言-質量目標
前言-實現質量目標的措施
成品率
成品率趨勢圖(例)
影響成品率的因素
成品率模型-泊鬆模型
成品率模型-墨菲(Murphy)模型
成品率模型-(Seed)模型
缺陷尺寸和致命性
缺陷的尺寸分布和致命性
按層次細分的成品率模型
缺陷密度趨勢圖(例)
成品率和芯片麵積(例)
沾汙的類型
顆粒
金屬雜質
重金屬雜質沾汙
光電導法測少子壽命
清洗條件和壽命
spv
堿金屬雜質沾汙
氧化層沾汙(可動電荷)監控
CV法測氧化層電荷
靜電釋放(ESD)
靜電釋放(ESD)的防止
(三)工藝設計優化-試驗設計
試驗設計
刻蝕試驗的全因素試驗
刻蝕試驗的正交矩陣(OA)
刻蝕試驗的試驗參數
L8 OA試驗刻蝕結果
方差分析
數據分析例
工藝受控的概念
正態分布函數
X 控製圖
控製圖
SPC流程
控製圖失控判據
工序能力指數 Ck和 Cpk
(五)設備狀態的控製 Offline QC
設備狀態的控製
擴散爐溫度穩定性1175℃ 24hr ?T<1℃
Boat in後溫度變化
擴散爐升溫特性
擴散爐降溫特性
方塊電阻控製圖(重複性)
多台擴散爐匹配
BOE腐蝕速率控製圖
氧化層厚度均勻性監控
氧化層厚度均勻性監控(三維)
(六)產品工藝的控製 On-line QC
產品工藝的控製
質量控製計劃
基區刻蝕後CD控製圖(例)
外延厚度控製圖(例)
(七)PCM在質量控製中的作用
PCM圖形
PCM圖形內容(雙極)
範德堡法測薄層電阻
Pinch電阻
測埋層電阻和深磷電阻
接觸鏈圖形
金屬爬台階圖形
基區電阻傾向圖
注入電阻傾向圖
(八)低合格率圓片原因分析
低合格率圓片原因分析
..............................
(一)成品率和成品率模型
(二)製造環境-沾汙控製
(三)工藝優化和試驗設計(DOE)
(四)統計過程控製(SPC)
(五)工藝設備狀態的控製 (Off-line QC)
(六)產品工藝的控製 (On-line QC)
(七)PCM在質量控製中的作用
(八)低合格率圓片原因分析
集成電路技術講座 第十一講
內容
前言-質量目標
前言-實現質量目標的措施
成品率
成品率趨勢圖(例)
影響成品率的因素
成品率模型-泊鬆模型
成品率模型-墨菲(Murphy)模型
成品率模型-(Seed)模型
缺陷尺寸和致命性
缺陷的尺寸分布和致命性
按層次細分的成品率模型
缺陷密度趨勢圖(例)
成品率和芯片麵積(例)
沾汙的類型
顆粒
金屬雜質
重金屬雜質沾汙
光電導法測少子壽命
清洗條件和壽命
spv
堿金屬雜質沾汙
氧化層沾汙(可動電荷)監控
CV法測氧化層電荷
靜電釋放(ESD)
靜電釋放(ESD)的防止
(三)工藝設計優化-試驗設計
試驗設計
刻蝕試驗的全因素試驗
刻蝕試驗的正交矩陣(OA)
刻蝕試驗的試驗參數
L8 OA試驗刻蝕結果
方差分析
數據分析例
工藝受控的概念
正態分布函數
X 控製圖
控製圖
SPC流程
控製圖失控判據
工序能力指數 Ck和 Cpk
(五)設備狀態的控製 Offline QC
設備狀態的控製
擴散爐溫度穩定性1175℃ 24hr ?T<1℃
Boat in後溫度變化
擴散爐升溫特性
擴散爐降溫特性
方塊電阻控製圖(重複性)
多台擴散爐匹配
BOE腐蝕速率控製圖
氧化層厚度均勻性監控
氧化層厚度均勻性監控(三維)
(六)產品工藝的控製 On-line QC
產品工藝的控製
質量控製計劃
基區刻蝕後CD控製圖(例)
外延厚度控製圖(例)
(七)PCM在質量控製中的作用
PCM圖形
PCM圖形內容(雙極)
範德堡法測薄層電阻
Pinch電阻
測埋層電阻和深磷電阻
接觸鏈圖形
金屬爬台階圖形
基區電阻傾向圖
注入電阻傾向圖
(八)低合格率圓片原因分析
低合格率圓片原因分析
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