半導體研究之內存產業(doc 13頁)

半導體研究之內存產業內容提要：
DRAM產業為高度資金密集產業，8吋晶圓廠設置約10億美元，進入12吋晶圓廠時代，一座晶圓廠設置更高達25億美元，因此DRAM廠商資本支出對12吋廠投資均相當謹慎。根據集邦科技統計資料，某年全球DRAM廠商資本資出金額為110億美元，年成長率29%，就金額及成長率而言已接近某年時的水平。由於此次資本支出重點均擺在12吋晶圓廠設置，推算某年下半年至某年上半年將是另一波12吋廠新產能開出時間點，因此目前有多家研究機構對某年及某年整體DRAM市場規模成長率看法趨向保守，認為成長率均難超越某年高達4成之成長。
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Nand Flash應用市場崛起，排擠8吋DRAM廠產能超出預期，同時帶領DRAM廠商進入消費及通訊領域，減緩大起大落之產業特性,隨著12吋廠產能陸續開出，成本競爭優勢與8吋廠逐漸明顯拉開，迫使8吋廠必須積極尋找其它出路。此時剛好Nand Flash市場快速崛起，加上製程與DRAM類似，且生產毛利率遠高於DRAM，吸引DRAM大廠將產能轉去生產Nand Flash動機。韓國Samsung為確保龍頭地位，已將四座8吋廠轉去生產Nand Flash，其它如Hynix、Infineon及Micron亦陸續將8吋廠轉去生產Nand Flash。
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DRAM目前正進行DDRII取代DDR世代交替，由於DDRII前段製程須在12吋廠采0.11微米製程生產，且後段封裝采BGA封裝及T5593測試機台測試，在整體成本居高不下，因此世代交替速度似乎不如原先預期樂觀。然對生產者而言，由於DDRII毛利率高於DDR，再度吸引韓國Samsung對此一市場興趣，預計於某年第四季拉高DDRII投片量占所有DRAM產能3成。由於DDRII初期生產仍須麵臨良率較低問題，因此Samsung拉高DDRII投片對DRAM供給將因此受到抑製，對PC出貨旺季過後之DRAM報價為相當正麵訊息。

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