采用混合模式晶體管構成低溫BiCMOS集成電路(pdf 6頁)

采用混合模式晶體管構成低溫BiCMOS集成電路目錄：
八十年代以來CMO S 已成為發展VL S I 所采用的主要技術. 人們為了進一步提高集成電路速度和減少功耗, 利用MO SFET 低溫下溝道載流子遷移率增加導致速度提高等特性[ 1 ]研製了液氮溫度工作的CMO S 集成電路即低溫CMO S 集成電路. 人們也注意到影響VL S I 速度提高的另一個因素, 即隨著集成度的提高, 電路中的引線加長負載增多, 而MO SFET 比雙極晶體管跨導小, 因此驅動能力差成為影響速度的重要因素, 所以人們試圖象發展室溫B iCMO S 那樣, 用雙極晶體管和CMO S 結合構成低溫B iCMO S 集成電路, 以進一步提高電路的速度, 克服傳統B iCMO S 電路不適於在低溫低電壓工作等缺點[ 2, 3 ]. 普通結構的雙極晶體管具有正的溫度係數, 電流增益隨溫度下降而減少, 在液氮溫度下已無法正常工作. 為了解決這個問題我們先後試製了三區低摻雜濃度晶體管[ 4 ]、異質結晶體管和BMHM T , 最後采用BMHM T 構成了低溫B iCMO S 集成電路.
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