CMOS工藝流程與MOS電路版圖舉例(ppt 155頁)

1) 簡化N阱CMOS工藝演示
氧化層生長
曝光
氧化層的刻蝕
N阱注入
形成N阱
氮化矽的刻蝕
場氧的生長
去除氮化矽
重新生長二氧化矽（柵氧）
生長多晶矽
刻蝕多晶矽
P+離子注入
N+離子注入
生長磷矽玻璃PSG
光刻接觸孔
2) 清華工藝錄像
初始氧化
光刻1，刻N阱
N阱形成
Si3N4澱積
光刻2，刻有源區，場區硼離子注入
柵氧化，開啟電壓調整
多晶矽澱積
光刻4，刻NMOS管矽柵，磷離子注入形成NMOS管
光刻5，刻PMOS管矽柵，硼離子注入及推進，形成PMOS管
磷矽玻璃澱積
光刻6，刻孔、磷矽玻璃澱積回流（圖中有誤，沒刻出孔)
蒸鋁、光刻7，刻鋁、光刻8，刻鈍化孔（圖中展示的是刻鋁後的圖形）
離子注入的應用
N阱矽柵CMOS工藝流程
4) 圖解雙阱矽柵CMOS製作流程
2. 典型P阱CMOS工藝的剖麵圖
4. MOS電路版圖舉例
2) 鋁柵、矽柵MOS器件的版圖
矽柵矽柵MOS器件工藝的流程Process (1)刻有源區
Process (2)刻多晶矽與自對準摻雜
Process (3)刻接觸孔、反刻鋁
製備耗盡型MOS管
矽柵P阱CMOS反相器版圖設計舉例
5) P阱矽柵單層鋁布線CMOS的工藝過程
CMOS集成電路工藝--以P阱矽柵CMOS為例
CMOS反相器版圖流程(1)

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