工藝流程相關知識(ppt 64頁)

主要內容
第4章 集成電路特定工藝
4.1 引言
4.2 雙極型集成電路的基本製造工藝
4.3 MESFET工藝與HEMT工藝
4.4 CMOS集成電路的基本製造工藝
4.5 BiCMOS集成電路的基本製造工藝

4.1 引言
特定工藝
4.2 雙極型集成電路的基本製造工藝
典型PN結隔離摻金TTL電路工藝流程圖
雙極型集成電路基本製造工藝步驟
第一次光刻——N+隱埋層擴散孔光刻
第二次光刻——P+隔離擴散孔光刻
雙極型集成電路的基本製造工藝步驟
第四次光刻——N+發射區擴散孔光刻
4.3 MESFET工藝與HEMT工藝
MESFET工藝
MESFET工藝
MESFET工藝的效果
高電子遷移率晶體管（HEMT）
HEMT工藝
簡單的HEMT的層結構
HEMT的性能和發展
4.4 CMOS集成電路的基本製造工藝
P阱CMOS工藝
N阱CMOS工藝
N阱CMOS芯片剖麵示意圖
雙阱CMOS工藝
雙阱CMOS工藝主要步驟
MOS工藝的自對準結構
自對準工藝 示意圖
自對準工藝
4.5 BiCMOS集成電路的基本製造工藝
BiCMOS工藝分類
以P阱CMOS工藝為基礎的BiCMOS工藝
標準P阱CMOS工藝實現的NPN晶體管的剖麵結構示意圖
標準 P阱CMOS 工藝結構特點
以N阱CMOS工藝為基礎的BiCMOS工藝
N阱CMOS工藝為基礎的BiCMOS工藝
N阱CMOS-NPN外延襯底結構剖麵圖
雙極工藝為基礎的BiCMOS工藝
三種以PN結隔離雙極型工藝為基礎的P阱BiCMOS器件結構剖麵圖 ：
以雙極工藝為基礎的雙阱BiCMOS工藝
雙埋層雙阱Bi-CMOS工藝器件結構剖麵圖
預習下節課：
本小節結束 (1~62)

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