集成電路製造工藝之光刻與刻蝕工藝培訓課件(ppt 111頁)

主要內容
8.1、光刻工藝流程
8.1.1、塗膠
8.1.2、前烘
8.1.4、顯影
8.2、分辨率
8.3、光刻膠的基本屬性
8.4、多層光刻膠工藝

內容摘要
①高分辨率。通常把線寬作為光刻水平的標誌，線寬越來越細，要求光刻具有高分辨率。
②高靈敏度的光刻膠。光刻膠的靈敏度通常是指光刻膠的感光速度。光刻膠靈敏度提高，曝光時間短，但往往使光刻膠的其他屬性變差。
③低缺陷。在集成電路芯片的加工進程中，如果在器件上產生一個缺陷，即使缺陷的尺寸小於圖形的線寬，也可能會使整個芯片失效。
④精密的套刻對準。集成電路芯片的製造需要經過多次光刻，在各次曝光圖形之間要相互套準。通常要采用自動套刻對準技術。
⑤對大尺寸矽片的加工。為了提高經濟效益和矽片利用率，一般在一個大尺寸矽片上同時製作很多個完全相同的芯片。對於光刻而言，在大尺寸矽片上滿足前述的要求難度更大。

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