集成電路工藝技術係列講座(PPT 69頁)

BMD (Bulk Micro Defects)
CZ(直拉）法生長單晶
DZ (Denuded Zone)
ESF (Epi Stacking Faults)(111)
ESF(Epi Stacking Faults)(100)
IC 製造環境(1)淨化級別和顆粒數
IC製造環境(2) 超純水
IC製造環境(3)超純化學藥品
IC技術發展趨勢(1)特征線寬隨年代縮小
IC技術發展趨勢(1)特征線寬隨年代縮小
IC技術發展趨勢(1)集成度不斷提高－摩爾定律
IC技術發展趨勢(2)矽片大直徑化
IC技術發展趨勢(3)CPU運算能力
IC技術發展趨勢(4)結構複雜化　功能多元化
IC技術發展趨勢(5)芯片價格不斷降低
MOSFET等比例縮小
MOSFET等比例縮小示意
MOSFET等比例縮小規則
OISF
從原料到拋光片
位錯
淨化室
分凝係數
雙極型晶體管的等比例縮小
雙極集成電路工藝
雙極集成電路工藝
吸雜 (Gettering)
基本長溝道MOSFET器件
層錯
工藝整合
平麵工藝－製造二極管
平麵工藝－圖形轉移技術
引言
恒電場和恒電壓縮小
拋光片主要技術指標
摻雜物質的分布
晶體缺陷
有效分凝係數
氧沉澱 –氧在矽中固溶度
滑移線
滑移線腐蝕坑
點缺陷
短溝道效應
矽片準備
矽片的定位麵
矽片的定位麵／定位槽
矽襯底材料
缺陷的兩重性
講座安排
起始材料
金剛石晶體結構
集成電路製造環境
集成電路單項工藝
集成電路工藝技術
集成電路工藝技術講座第一講
集成電路技術發展趨勢
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