芯片級無鉛CSP器件的底部填充材料(doc 12頁)

一、 概述：
二、 背景：
三、 與無鉛工藝匹配的WLUF：
四、 試驗經驗總結：
五、 結論：

一、概述：
晶片級器件底部填充作為一種新工藝仍需進一步提高及優化，其工藝為：在晶片級器件製作過程中，晶圓底部加填充材料，這種填充材料在芯片成型時一步到位，免掉了外封裝工藝，這種封裝體積小，工藝簡單，可謂經濟實惠。然而，該新型封裝器件麵臨一個嚴峻的考驗，即：用於無鉛焊接工藝。這就意味著：即要保證器件底部填充材料與無鉛焊料的兼容，又要滿足無鉛高溫焊接要求，保證焊接點的可靠性及生產產量。
近期為無鉛CSP底部填充研發了幾種新型材料，這些填充材料滴塗到晶圓上，呈透明膠狀（半液態）物質，經烘烤，呈透明狀固態物質，這樣分割晶圓時可保證晶片外形的完整性，不會出現晶片分層或脆裂。在這篇文章中，我們探討一下烘烤對晶圓翹曲度的影響？烘烤是否引發底部填充材料的脆裂？以及回流過程中底部填充物的流動引起的焊料……

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