COMSIC製造工藝流程(DOC 31頁)
COMSIC製造工藝流程(DOC 31頁)內容簡介
1.典型的亞微米CMOSIC製造流程圖;
2.描述CMOS製造工藝14個步驟的主要目的;
4.討論每一步CMOS製造流程的關鍵工藝
第七章COMSIC製造工藝流程
CMOS工藝流程中的主要製造步驟
CMOS製作步驟
一、雙井工藝
二、淺曹隔離工藝
三、PolyGateStructureProcess
四、輕摻雜;漏注入工藝第六層掩膜
2)P-輕摻雜漏注入(低能量,淺結)
五、側牆的形成
六、源/漏注入工藝
七、接觸(孔)的形成鈦金屬接觸的主要步驟
八、局部互連工藝
LI氧化矽介質的形成
1)氮化矽化學氣相澱積
2)摻雜氧化物的化學氣相澱積
3)氧化層拋光(CMP)
4)第九層掩膜,局部互連刻蝕
LI金屬的形成1)金屬鈦澱積(PVD工藝)
2)氮化鈦澱積3)鎢澱積
4)磨拋鎢(化學機械工藝平坦化)
九、通孔1和鎢塞1的形成
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2.描述CMOS製造工藝14個步驟的主要目的;
4.討論每一步CMOS製造流程的關鍵工藝
第七章COMSIC製造工藝流程
CMOS工藝流程中的主要製造步驟
CMOS製作步驟
一、雙井工藝
二、淺曹隔離工藝
三、PolyGateStructureProcess
四、輕摻雜;漏注入工藝第六層掩膜
2)P-輕摻雜漏注入(低能量,淺結)
五、側牆的形成
六、源/漏注入工藝
七、接觸(孔)的形成鈦金屬接觸的主要步驟
八、局部互連工藝
LI氧化矽介質的形成
1)氮化矽化學氣相澱積
2)摻雜氧化物的化學氣相澱積
3)氧化層拋光(CMP)
4)第九層掩膜,局部互連刻蝕
LI金屬的形成1)金屬鈦澱積(PVD工藝)
2)氮化鈦澱積3)鎢澱積
4)磨拋鎢(化學機械工藝平坦化)
九、通孔1和鎢塞1的形成
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