N阱CMOS工藝課件(PPT 36頁)

N阱CMOS工藝
① 初始材料
② 外延生長
③ N阱擴散
③ N阱注入
曝 光
氧化層的刻蝕
N阱注入
形成N阱
④ 場區LOCOS （局部氧化）
氮化矽的刻蝕
溝道終止注入
場氧的生長
去除氮化矽
⑤ 閾值調整
采用一步調節方法
重新生長二氧化矽（柵氧）
⑥ 多晶矽澱積和光刻
刻蝕多晶矽
⑦ 源/漏注入
P+離子注入
N+離子注入
⑧ 接觸、金屬化及保護層
生長磷矽玻璃PSG
光刻接觸孔
刻 鋁
刻鋁
NMOS Transistors
PMOS晶體管
襯底PNP管
多晶電阻
NSD和PSD電阻
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