電鍍工藝優化對銅金屬層後孔洞缺陷的影響(DOC 40頁)

1. 緒 論....1
1.1半導體互連工藝現狀及趨勢....2
1.2 從鋁互連到銅互連....3
1.3 鋁互連與銅互連的不同工藝流程....5
2 電鍍銅工藝....6
2.1電鍍銅工藝基本概念....6
2.2 電鍍銅工藝機理....6
2.3 化學添加劑對電鍍工藝的影響....8
2.4 銅金屬的自退火效應....10
3.問題描述及實驗目的....11
3.1銅孔洞缺陷導致產品可靠性降低....11
3.1.1銅互連中的電遷移及可靠性....12
3.1.2 銅孔洞缺陷於電遷移的關係....13
3.1.3 銅孔洞缺陷產生的幾種機理....15
3.2 實驗目的....16
3.3 實驗材料和工具....16
3.3.1材料：....16
3.3.2設備和儀器：....16
3.4 實驗內容....17
3.4.1.鍍銅工藝不同的電鍍時轉速之間的對比實驗....17
3.4.2．電鍍後到化學機械研磨CMP之間等待時間對比實驗....17
3.4.3.電鍍後退火溫度,時間等參數的調整的對比實驗....18
4. 實驗結果及分析討論....19
4.1不同的電鍍時轉速實驗結果分析....19
4.2 電鍍後到化學機械研磨之間等待時間實驗結果分析....23
4.3電鍍後退火溫度,時間調整的對比實驗結果分析....24
4.4 工藝窗口選擇確認....26
5 總結....27
參考文獻....29
致 謝....1
攻讀學位期間發表的學術論文目錄....2

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