紅外吸收法測定矽單晶中氧和碳的測試方法(PPT 30頁)

一、矽單晶中氧、碳的分布情況
1、氧 ：在矽單晶中，以間隙氧的形式存在
（1）矽中氧的含量：
直拉單晶矽：4×1017～3×1018原子/cm3
多晶矽：1016～1017原子/cm3
（2）最大溶解度：
熔矽：     2.2×1018原子/cm3
固體矽： 2.75×1018原子/cm3
（3）分布：矽單晶中的氧，由於分凝作用在晶體中呈條紋狀分布，頭部高，尾部低。
（4）間隙氧對矽單晶結構和性能產生的影響：
1）可以增加矽片的機械強度，避免彎曲和翹曲等變形。
2）形成熱施主，會改變器件的電阻率和反向擊穿電壓，形成堆垛層錯和漩渦缺陷。
3）形成氧沉澱，產生位錯、堆垛層錯等缺陷。
2、碳：在矽單晶中，一間隙氧的形式存在
（1）單晶矽中氧碳的含量：1016～1017原子/cm3
熔矽：  3～4×1018原子/cm3
固體矽： 5.5×1017原子/cm3
（3）分布：矽單晶中的碳，由於分凝作用在晶體中呈條紋狀分布，頭部低，尾部高。
（4）碳對矽單晶的影響
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