加熱製程工藝概論(PPT 227頁)

列出三種加熱製程
描述集成電路製造的熱製程
描述熱氧化製程
說明快速加熱製程(RTP)的優點
Chapter 5加熱製程
目標
主題
定義
簡介
集成電路製程流程
硬件設備總覽
水平式爐管
水平式爐管的布局圖
高溫爐控製係統功能圖
氣體輸送係統示意圖
源氣櫃
氧化的氧來源
擴散源
沉積源
退火源
排氣係統
裝載晶圓, 水平式係統
裝載晶圓, 垂直式係統
溫度控製
溫度控製係統
反應室
水平式高溫爐
垂直式高溫爐, 製程位置
石英爐管
石英管清洗
碳化矽管
溫度控製反-彎曲 法
水平高溫爐
高溫爐
垂直石英爐
垂直高溫爐,裝載和卸除的位置
較小的占地空間
較好的汙染物控製
較好的晶圓控製
硬件設備綜述
氧化
矽氧化製程
矽元素的事實
氧的一些事實
氧化的應用
擴散的阻擋
表麵鈍化的應用
屏蔽氧化層
STI製程中的襯墊氧化層和阻擋氧化層
襯墊氧化層的應用
組件絕緣的應用
全麵場區覆蓋氧化製程
矽的局部氧化製程
矽的局部氧化
犧牲氧化層的應用
組件介電質的應用
氧化層的應用
不當清洗的矽表麵上生成的二氧化矽結構
氧化前的清洗
美國無線電公司(RCA)的清洗
氧化前晶圓的清洗粒子移除
氧化前晶圓的清洗有機汙染物移除
氧化前晶圓的清洗無機汙染物移除
氧化前晶圓的清洗原生氧化層移除
氧化反應機構
氧化速率區域的說明圖
<100>矽幹氧氧化反應
濕 (蒸氣)氧氧化反應
<100>矽 濕氧 氧化反應
影響氧化速率的因素
氧化速率溫度
氧化速率晶圓方位
濕氧氧化速率
氧化速率摻雜物濃度
氧化：摻雜物N型摻質的堆積效應和P型摻質的空乏效應
空乏效應和堆積效應
氧化速率 摻雜氧化 (HCl)
氧化速率 相異的氧化
氧化製程
幹氧氧化係統示意圖
幹氧氧化
匣極氧化層的步驟
懸浮鍵引起的界麵狀態電荷
匣極氧化層的步驟(續)
濕氧氧化製程
水蒸氣源
煮沸式係統
氣泡式係統
衝洗式係統
氫氧燃燒蒸氣係統
燃燒蒸氣濕氧氧化係統
濕氧氧化製程步驟
快速加熱氧化
快速加熱氧化(RTO)製程示意圖
高壓氧化
高壓氧化係統示意圖
測量氧化層
橢圓光譜儀係統
反射光及相差(反射光譜儀)
C-V測試結構
氧化層概要
擴散
擴散摻雜製程說明
接麵深度的定義
熱積存
熱積存的說明
擴散摻雜製程
磷擴散係統
晶圓清洗
摻雜分區圖形
二氧化矽蝕刻
光阻剝除
摻雜物氧化沉積
覆蓋氧化反應
五氧化二磷氧化沉積和覆蓋氧化反應
驅入
剝除氧化層, 準備下一步
非晶矽驅入
限製與應用
擴散的應用: 驅入
井區布植和驅入
利用硼的擴散在超淺接麵形成的製程
表麵清洗
硼矽玻璃化學氣相沉積法
快速加熱步驟摻雜物驅入
剝除硼矽玻璃
摻雜的量測
四點探針測量
擴散的概要
退火和快速加熱製程
布植後退火
離子布值之前
離子布值之後
晶體缺陷
退火製程
合金熱處理
金屬矽化物
鈦金屬矽化物製程
鋁矽合金
接麵尖凸現象
再流動
PSG再流動製程說明
再流動製程
退火概要
高溫沉積製程
什麼是化學氣相沉積
高溫化學氣相沉積
外延
外延矽
外延矽沉積
外延矽摻雜
多晶矽
多晶矽在DRAM上的應用
多晶矽沉積
多晶矽摻雜
矽烷製程與溫度的關係
矽烷製程的溫度與晶體結構
多晶矽低壓化學氣相沉積係統
多晶矽沉積製程
多晶矽沉積係統
氮化矽
氮化矽的應用
矽的局部氧化(LOCOS)製程
淺溝槽絕緣製程
淺溝槽絕緣製程的襯墊氧化層與阻擋氧化層
自我對準接觸窗蝕刻停止層
氮化矽的快捷方式
Ti/TiN沉積 和 鎢
化學機械研磨 鎢 和TiN/Ti
氮化矽沉積
氮化矽的LPCVD係統示意圖
氮化矽沉積製程流程圖
高溫化學氣相沉積法的未來趨勢
高溫爐沉積概要
快速加熱製程
快速加熱製程(RTP)
快速加熱製程(RTP)反應室示意圖
加熱燈管數組
快速加熱製程(RTP)反應室
退火和摻雜物擴散
退火速率和擴散速率
退火後摻雜物擴散
RTP比高溫爐的優勢
RTP製程溫度的改變
熱氮化反應
氮化鈦製程
快速加熱氧化製程
RTP /RTO製程示意圖
未來的趨勢
RTCVD反應室
RTP溫度和高溫爐
群集工具示意圖
快速加熱製程的概要
加熱製程概要

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