鍺矽外延工藝的調試和優化課程(PDF 57頁）

導論
1．1 HBT SiGe技術發展
1-2鍺矽外延的性質
1．2．1鍺矽的晶體結構
1．2．2應變與弛豫
1．2．3臨界膜厚
1．2．4器件用鍺矽的基本結構
1．3 SiGe生長技術
1．3．1表麵帶0備～一16
1．3．1．1熱脫附清洗技術16
1．3．1．2 HF—Last清洗
1．3．1．3在氫氣氛圍中的熱脫附
1．3．2 SiGe薄膜生長反應
1．4 SiGe HBT的電學特性
1．5本文工作的目的和論文內容的安排
第二章實驗裝置介紹及相關參數測試
2．1裝置介紹
2．1．1腔體加熱係統
2．1-2基座旋轉係統
2．1．3氣體傳輸係統
2．2相關參數測試
2．2．1腔體溫度的校準
2．2．2顆粒
2．2．3本征擴展電阻率形貌
2．2．4 c／o含量和金屬離子粘汙測試
2．2．5基座中心化的確認
第三章單一鍺組分的鍺矽外延
3．1使用程序的描述

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