現代CMOS工藝基本流程課件(PPT 79頁)

CMOS工藝
選擇襯底--------基礎
熱氧化
Si3N4澱積
光刻膠成形
Si3N4和SiO2刻蝕
隔離淺槽刻蝕
除去光刻膠
SiO2澱積
化學機械拋光
除去Si3N4
平麵視圖--------淺槽隔離
磷離子注入
硼離子注入
退火
平麵視圖--------N阱與P阱
犧牲氧化層生長
除去犧牲氧化層
柵氧化層生長
多晶矽澱積
多晶矽刻蝕
平麵視圖--------柵極
多晶矽氧化
NMOS管銜接注入
PMOS管銜接注入
Si3N4刻蝕
NMOS管源/漏注入
PMOS管源/漏注入
除去光刻膠和退火
平麵視圖--------源/漏極
除去表麵氧化物
Ti澱積
TiSi2形成
Ti刻蝕
BPSG澱積
BPSG拋光
接觸孔刻蝕
TiN澱積
鎢澱積
鎢拋光
平麵視圖--------接觸孔
Metal1澱積
Metal1刻蝕
平麵視圖--------第一層互連
IMD澱積
IMD拋光
通孔刻蝕
TiN和鎢澱積
鎢和TiN拋光
平麵視圖--------通孔
Metal2澱積
Metal2刻蝕
平麵視圖--------第二層互連
鈍化層澱積
鈍化層成形
平麵視圖--------完成
完成
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