現代CMOS工藝基本流程課件(PPT 140頁)

半導體襯底
摻雜
氧化
光刻技術
刻蝕技術
薄膜技術
第九章工藝集成藝基本流程
知識回顧
工藝集成
工藝集成
工藝的選擇
一、集成電路中器件的隔離
LOCOS隔離
LOCOS隔離工藝
LOCOS隔離工藝
二、金屬化與多層互連
2.1、集成電路對金屬化材料特性的要求
三、平坦化
四、CMOS工藝
選擇襯底
熱氧化
Si3N4澱積
光刻膠成形
Si3N4和SiO2刻蝕
隔離淺槽刻蝕
除去光刻膠
SiO2澱積
化學機械拋光
除去Si3N4
平麵視圖
光刻膠成形
磷離子注入
除去光刻膠
光刻膠成形
硼離子注入
除去光刻膠
退火
平麵視圖
犧牲氧化層生長
除去犧牲氧化層
柵氧化層生長
多晶矽澱積
光刻膠成形
多晶矽刻蝕
除去光刻膠
平麵視圖
多晶矽氧化
光刻膠成形
NMOS管銜接注入
除去光刻膠
光刻膠成形
PMOS管銜接注入
除去光刻膠
Si3N4澱積
Si3N4刻蝕
光刻膠成形
NMOS管源/漏注入
除去光刻膠
光刻膠成形
PMOS管源/漏注入
除去光刻膠和退火
平麵視圖
除去表麵氧化物
Ti澱積
TiSi2形成
Ti刻蝕
BPSG澱積
BPSG拋光
光刻膠成形
接觸孔刻蝕
除去光刻膠
TiN澱積
鎢澱積
鎢拋光
平麵視圖
Metal1澱積
光刻膠成形
Metal1刻蝕
除去光刻膠
平麵視圖
IMD澱積
IMD拋光
光刻膠成形
通孔刻蝕
除去光刻膠
TiN和鎢澱積
鎢和TiN拋光
平麵視圖
Metal2澱積
光刻膠成形
Metal2刻蝕
除去光刻膠
平麵視圖
鈍化層澱積
鈍化層成形
平麵視圖
完成
略有不同的另一個工藝流程
實驗一
實驗二光刻工藝（4學時）
什麼是MEMS
各個國家不同的定義
什麼是微型機電係統
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