CMOS製造工藝及流程教材(PPT 73頁)

一，襯底材料的準備
二，阱的形成
三，隔離技術
四，柵的完成
五，源漏的製備
六，孔
七，金屬1布線
八，平坦化工藝
九，VIA及金屬2
十，鈍化工藝
Main content
Part 1:0.6um process flow introduce
一，襯底材料的準備（1）
襯底材料的準備（2）
二，阱的形成（用途）
阱的形成（原理圖）
阱的形成（工藝流程）
阱的形成（閂鎖效應）
三，隔離技術（用途）
隔離技術(LOCOS 原理）
隔離技術(LOCOS 圖）
隔離技術(LOCOS 工藝流程）
隔離技術(改善LOCOS B.B方法）
隔離技術(關於場注入）
四，柵的完成
柵的完成（Sca-oxide)
柵的完成(預柵氧與Vt調整）
柵的完成(工藝流程）
五，源漏的製備
源漏的製備（不同結構的截麵圖）
源漏的製備
源漏的製備(工藝流程）
六，孔的形成
孔的形成（接觸電阻）
孔的形成(工藝流程）
七，金屬布線（作用）
金屬布線（結構）
金屬布線(工藝流程）
八，平坦化工藝（作用）
平坦化工藝（常用工藝）
平坦化工藝（ Multistep process ）
平坦化工藝(工藝流程）
平坦化工藝(效果圖）
九，VIA及AL-2的形成
VIA及AL-2的形成(工藝流程）
十，鈍化工藝
鈍化工藝(工藝流程）
其他工藝步驟（合金工藝）
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