半導體製造工藝之離子注入原理課件(PPT 38頁)

注入離子如何在體內靜止？
核阻止本領與電子阻止本領-LSS理論
核阻止本領
電子阻止本領
總阻止本領（Total stopping power）
注入離子的濃度分布
注入離子的真實分布
注入掩蔽層——掩蔽層應該多厚？
離子注入的溝道效應
減少溝道效應的措施
典型離子注入參數

..............................