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半導體工藝基礎之氧化(PPT 58頁)

所屬分類:
工藝技術
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相關資料:
半導體工藝
半導體工藝基礎之氧化(PPT 58頁)內容簡介
簡介
Oxidation
氧化膜的應用
摻雜阻擋氧化層
表麵鈍化(保護)氧化層
Screen Oxide
Pad and Barrier Oxides in STI Process
Application, Pad Oxide
犧牲氧化層 Sacrificial Oxide
器件隔離氧化層
Blanket Field Oxide Isolation
LOCOS Process
LOCOS
柵氧化層
氧化膜(層)應用
Silicon Dioxide Grown on Improperly Cleaned Silicon Surface
表麵未清洗矽片的熱氧化層
氧化前圓片清洗
RCA清洗
Pre-oxidation Wafer Clean Particulate Removal
被氧化的矽片上有機物的清除
無機物的清洗
Pre-oxidation Wafer Clean Native Oxide Removal
Oxidation Mechanism
Oxide Growth Rate Regime
<100> Silicon Dry Oxidation
水汽氧化(Steam Oxidation)
<100> Silicon Wet Oxidation Rate
濕氧氧化(Wet Oxidation)
氧化速率
氧化速率與溫度
氧化速率與圓片晶向
濕氧氧化速率
氧化速率與雜質濃度
氧化:雜質堆積和耗盡效應
Depletion and Pile-up Effects
氧化速率與HCl摻雜氧化
氧化速率與不均勻氧化
氧化工藝
Dry Oxidation System
氧化裝置係統
Dry Oxidation
Dangling Bonds and Interface Charge
Wet Oxidation Process
Water Vapor Sources
Boiler System
Bubbler System
Flush System
Pyrogenic Steam System
Pyrogenic System
Rapid Thermal Oxidation
High Pressure Oxidation
氧化小結
..............................

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