現代CMOS工藝基本流程培訓課程(ppt 80頁)

主要內容
現代CMOS工藝基本流程
選擇襯底
熱氧化
Si3N4澱積
光刻膠成形
Si3N4和SiO2刻蝕
隔離淺槽刻蝕
除去光刻膠
SiO2澱積
化學機械拋光
除去Si3N4
平麵視圖
光刻膠成形
磷離子注入
除去光刻膠
光刻膠成形
硼離子注入
除去光刻膠
退火
平麵視圖
犧牲氧化層生長
除去犧牲氧化層
柵氧化層生長
多晶矽澱積
光刻膠成形
多晶矽刻蝕
除去光刻膠
平麵視圖
多晶矽氧化
光刻膠成形
NMOS管銜接注入
除去光刻膠
光刻膠成形
PMOS管銜接注入
除去光刻膠
Si3N4澱積
Si3N4刻蝕
光刻膠成形
NMOS管源/漏注入
除去光刻膠
光刻膠成形
PMOS管源/漏注入
除去光刻膠和退火
平麵視圖
除去表麵氧化物
Ti澱積
TiSi2形成
Ti刻蝕
BPSG澱積
BPSG拋光
光刻膠成形
接觸孔刻蝕
除去光刻膠
TiN澱積
鎢澱積
鎢拋光
平麵視圖
Metal1澱積
光刻膠成形
Metal1刻蝕
除去光刻膠
平麵視圖
IMD澱積
IMD拋光
光刻膠成形
通孔刻蝕
除去光刻膠
TiN和鎢澱積
鎢和TiN拋光
平麵視圖
Metal2澱積
光刻膠成形
Metal2刻蝕
除去光刻膠
平麵視圖
鈍化層澱積
鈍化層成形
平麵視圖
完成
略有不同的另一個工藝流程

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